Schlagwort: halbleiterspeicher

Bilder Telekommunikation

Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs – basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)

19. Januar 2016
Redaktion

Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM

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Telekommunikation

Samsung startet Massenproduktion von Chips in 14nm-FinFET-Logikprozesstechnologie der zweiten Generation

18. Januar 2016
Redaktion

Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz

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